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電漿蝕刻:
透過選擇性地去除在沉積期間添加的介電層(絕緣)和金屬(導電)材料，蝕刻製程可用來製作晶片的特徵結構。這些製程涉及製造越來越小、複雜、高且窄的特徵結構，並使用多種類型的材料。主要的技術，反應離子蝕刻 (RIE)，是用離子(帶電微粒) 轟擊晶片表面來去除材料。針對最微小的特徵結構，原子層蝕刻 (ALE) 可一次去除一些原子層的材料。而導體蝕刻製程可精確形成電晶體這類的關鍵電子元件，介電層蝕刻則可形成保護導電部分的絕緣結構。蝕刻製程還能創建高的柱狀特徵，例如，用在矽穿孔(TSV)中來連接晶片、以及用在微機電系統(MEMS)中。
電漿產生 Plasma Applicator:
射頻或微波能量注入共振腔解離如CF4 /非氟系(石英)或氟系(藍寶石)等惰性氣體產生電漿。
提供各種電漿Applicator
- SA7610SAPP6
- SA7610SAPP6 -Mod2
- ASTEXax7610DS
- SA7610SAPP7 TUBE ASSY EXTENDED SAPPHIRE
- ASTEXax7610Q
- SA7610QTZ2
- SA7610QTZ4
- SA7610QTZ6
- AX-7610PSK-Q. PSK Process Module
- 0992-60614 L-Tube Sapphire Tube ; TUBE, ANGLED, PLASMA, SAPPHIRE.
- PSK 200mm Sapphire Tube
- 其他
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