關於麗晶                             

產品   服務 製程    品質     職缺  與我們連繫    回首頁

 

 

半導體設備組件

 

AMAT

 

Novellus

 

 MATRIX

 

Lam

 

AXCELIS

 

TEL

 

Mattson

 

ULVAC

 

ASTex

 

AIXTRON

 

APPLICATOR

  TUBE
 

Light Pipe

  Lift Pin Lift Pin
 

Lift Pin

Windows

 

 

 

電漿蝕刻:

透過選擇性地去除在沉積期間添加的介電層(絕緣)和金屬(導電)材料,蝕刻製程可用來製作晶片的特徵結構。這些製程涉及製造越來越小、複雜、高且窄的特徵結構,並使用多種類型的材料。主要的技術,反應離子蝕刻 (RIE),是用離子(帶電微粒) 轟擊晶片表面來去除材料。針對最微小的特徵結構,原子層蝕刻 (ALE) 可一次去除一些原子層的材料。而導體蝕刻製程可精確形成電晶體這類的關鍵電子元件,介電層蝕刻則可形成保護導電部分的絕緣結構。蝕刻製程還能創建高的柱狀特徵,例如,用在矽穿孔(TSV)中來連接晶片、以及用在微機電系統(MEMS)中。

電漿產生 Plasma Applicator:
射頻或微波能量注入共振腔解離如CF4 /非氟系(石英)或氟系(藍寶石)等惰性氣體產生電漿。

 

 

提供各種電漿Applicator

    • SA7610SAPP6
    • SA7610SAPP6 -Mod2
    • ASTEXax7610DS
    • SA7610SAPP7 TUBE ASSY EXTENDED SAPPHIRE
    • ASTEXax7610Q
    • SA7610QTZ2
    • SA7610QTZ4
    • SA7610QTZ6
    • AX-7610PSK-Q. PSK Process Module
    • 0992-60614 L-Tube Sapphire Tube ; TUBE, ANGLED, PLASMA, SAPPHIRE.
    • PSK 200mm Sapphire Tube
    • 其他

     

 

 

本公司可客製化各種尺寸的Applicator;不論是藍寶石管、石英管、有法蘭、無法蘭、各種特殊直徑件均可訂製;交貨快速,價格便宜。

Design by SEMC

Copyright © 2012 SEMC/Saphire Electronic Material Corporation. All rights reserved